/Abitur/calc_ege/directions/magistracy/110404/

11.04.04 ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА

Форма обучения Количество бюджетных мест (общий конкурс / целевой прием) Проходные баллы на бюджетные места
Очная

Направление реализуется на физическом факультете.

ПРОФИЛЬ: «ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА»

Содержание

Объектами профессиональной деятельности будущих магистров являются проектирование, конструирование и разработка технологических процессов, изготовления приборов микро- и наноэлектроники и наносистемной техники, методы исследования; математическое моделирование процессов и объектов микро- и наноэлектроники, разработка и изготовление радиоэлектронных и вычислительных устройств c использованием микро- и нанотехнологий, наноматериалы и нанокомпоненты.

Основу подготовки составляют фундаментальные и практические курсы по твердотельной микро- и наноэлектронике, квантовой и оптической электронике, микросхемотехнике, материалам и компонентам электронной техники, микро- и нанотехнологиям, проектированию электронной компонентной базы, методам исследования материалов и структур микро- и наноэлектроники. Для проведения практических занятий используется современная база и оборудование академических и отраслевых институтов СО РАН

Трудоустройство

Выпускники, имея фундаментальную теоретическую и техническую подготовку по передовым технологиям, смогут найти работу в научно-исследовательской, проектно-конструкторской, производственно-технической, экспертной, организационно-управленческой, эксплуатационной и сервисной областях электроники как в России, так и за рубежом.

  • Иркутский авиационный завод
  • Иркутский релейный завод
  • Онкодиспансер, ИОКБ, НИИТО
  • Наука и образование
  • Силовые структуры
  • IT-компании
  • РЖД
  • Иркутскэнерго
  • Иркутскэнергосвязь
  • Роснефть и др.

Вступительные испытания: тест по направлению